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反激变压器的优化设计

作者:优发国际app官网 来源:本站原创 日期:2020-10-10 17:44 点击: 

  &安规、可靠性等因素,控制技术的快速发展(如PSR控制、高频QR、ACF)使得传统变压器设计方法已穷于应对,Chipown技术团队根据多年实战经验,将为大家陆续专题分享《反激变压器优化设计》的系列心得,希望能助电源攻城狮们一臂之力!

  3、AP值定义为Aw和Ae的乘积,满足AP值的磁芯及配套骨架为可用变压器:

  1.反激变压器有变压和储能双重作用:当Q1导通则D1截止,变压器储能能量于初级电感Lp中;当Q1截止则D1导通,变压器向次级负载释放能量; 2.由于反激变换器多基于峰值电流控制,因而Ipmax由控制芯片通过CS电阻限定; 3.变压器磁化曲线在第一象限:为防止变压器饱和,磁芯需开气隙,使得最大磁通密度Bm

  磁化曲线. 电流密度定义为流过线圈电流有效值除以线圈截面积。电流密度越小,变压器线圈的发热则越小。

  1.趋肤效应:高频电流流过导体时,越靠近导体表面电流密度越大,越靠近导体中心电流密度较小,结果使导体损耗增加。导线中电流密度从表面到中心按指数规律下降,工程上定义表面下穿透深度以内流导线全部电流。

  由于反激电源内部的高频干扰源电流方向不同,可通过优化设计变压器使干扰相互抵消:当共模平台电压向上则增加屏蔽圈数,向下则减少屏蔽圈数,直至共模平台电压控制在2V以内。

  后续Chipown技术团队将通过深入分析PWM、PFM、QR控制策略,分享从芯片控制入手有针对性的优化设计反激变压器,各位粉丝敬请关注!

  公式的含义是:在时间t内,对绕线N匝的线圈而言,磁通量的变化是N*B*Ae,产生的感应电压是V。

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